本報記者尹麗梅 童海華 北京報道

被譽為“現(xiàn)代工業(yè)的糧食”的半導體產(chǎn)業(yè)近期引發(fā)諸多關注。

2020年全國“兩會”召開之際，民進中央提交了《關于推動中國功率半導體產(chǎn)業(yè)科學發(fā)展》的提案。該提案建議，要進一步完善功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；要把功率半導體新材料研發(fā)列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰(zhàn)略制高點，盡快實現(xiàn)功率半導體芯片自主供給。

半導體是新經(jīng)濟發(fā)展的基石與晴雨表。近年以來，為構建我國自主可控、安全可靠的半導體產(chǎn)業(yè)體系，國家頻頻出臺相關支持政策，推動半導體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)替代進程。

多位業(yè)內(nèi)人士在采訪中告訴《中國經(jīng)營報》記者，在國家政策大力支持、產(chǎn)業(yè)迫切需求以及貿(mào)易摩擦等因素的推動下，半導體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)替代已取得一定成效。此次全國“兩會”再聚焦于此，半導體國產(chǎn)化將進一步加快。根據(jù)國信證券研報，在國產(chǎn)替代方面，國內(nèi)半導體市場有10倍以上的增長空間。

“中國半導體產(chǎn)業(yè)目前依舊處在朝陽階段，可以看成是10年前的手機產(chǎn)業(yè)鏈，相信國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)會在政策和科技周期共振下走向巨大的成長?！鄙虾ＷC券分析師袁威津表示。

國產(chǎn)替代再迎機遇

“國產(chǎn)替代”是近幾年半導體行業(yè)屢被提及的關鍵詞匯。近期，美國對華半導體出口管制進一步升級，引發(fā)輿論關注。在這樣的背景下，2020年全國“兩會”召開前夕，民進中央提交的《關于推動中國功率半導體產(chǎn)業(yè)科學發(fā)展》的提案有著更多的意味。

相較于歐美等其他國家，我國半導體產(chǎn)業(yè)起步較晚，且長期存在技術封鎖,目前與國際先進水平相比仍有較大差距。

相關數(shù)據(jù)顯示，我國半導體材料在國際中處于中低端領域，大部分產(chǎn)品的自給率較低，主要是技術壁壘較低的封裝材料，而制造材料主要依靠進口。目前，我國半導體材料企業(yè)集中在6英寸以下的生產(chǎn)線，少量企業(yè)開始打入8英寸、12英寸生產(chǎn)線。在半導體設備方面，目前，中國半導體設備國產(chǎn)化低于20%。

半導體行業(yè)是一個事關國家戰(zhàn)略安全和產(chǎn)業(yè)競爭力的重要產(chǎn)業(yè)。近年來，無論是國家還是產(chǎn)業(yè)界，均高度重視半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。受訪人士認為，盡管近期受到美國出口禁令政策干擾，但半導體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)替代道路將更加堅定，并將有可能會掀起“國產(chǎn)替代”高潮。

業(yè)內(nèi)人士多認為，在半導體產(chǎn)業(yè)中，功率半導體國產(chǎn)化是我國實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)自主可控的關鍵環(huán)節(jié)。

記者了解到，功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，是高鐵、汽車、光伏、電網(wǎng)輸電、家用電器等應用的上游核心零部件。功率 IC、IGBT、MOSFET、二極管是四種運用最為廣泛的功率半導體產(chǎn)品。

當前，全球功率半導體巨頭主要集中美國、歐洲、日本三個地區(qū)。大陸、臺灣地區(qū)廠商主要 集中在二極管、晶閘管、低壓 MOSFET 等低端功率器件領域，IGBT、中高壓 MOSFET 等高端器件主要由歐美日廠商占據(jù)。

“功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈是本土半導體部分相對最成熟環(huán)節(jié)之一，設計、制造、封測、應用等發(fā)展積累豐富?！币晃话雽w業(yè)內(nèi)人士對記者談道，功率半導體的前端制造對于工藝要求較低，對后端封裝和針對化應用則有更高的要求。我國半導體封裝產(chǎn)業(yè)鏈目前已經(jīng)較為接近國際一流水平，同時中國擁有全球最大下游應用市場，國內(nèi)企業(yè)具備充分的追趕條件。

民進中央在提交的《關于推動中國功率半導體產(chǎn)業(yè)科學發(fā)展》的提案中指出，隨著工業(yè)、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國功率半導體有龐大的市場需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術，在國家政策利好下，功率半導體將成為“中國芯”的最好突破口。

民進中央在提案中建議，要進一步完善功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，盡快實現(xiàn)功率半導體芯片自主供給。同時，要加大對功率半導體新材料進行科技攻關，把功率半導體新材料研發(fā)列入國家計劃，“目前碳化硅、氮化鎵市場處于起步階段，國內(nèi)廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小，國內(nèi)企業(yè)有望在本土市場應用中實現(xiàn)彎道超車”。

“中國半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)走到逆水行舟不進則退的階段。中國唯有將外部壓力轉化為半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展動力，并用好大基金與資本市場優(yōu)化資源分配，加速推進產(chǎn)業(yè)發(fā)展。中國半導體產(chǎn)業(yè)目前依舊處在朝陽階段，可以看成是10年前的手機產(chǎn)業(yè)鏈，相信國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)會在政策和科技周期共振下走向巨大的成長?！鄙虾ＷC券分析師袁威津表示。

汽車電動化被認為是功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新動能。中銀證券在最新發(fā)布的研報中指出，隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、5G通訊到來，功率半導體器件的需求將持續(xù)提升。在半導體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內(nèi)功率半導體企業(yè)有望迎來新的發(fā)展機遇。

龍頭企業(yè)領跑

在國內(nèi)半導體行業(yè)，完成國產(chǎn)替代是行業(yè)內(nèi)各企業(yè)努力追逐的目標。

吉林華微電子股份有限公司（以下簡稱“華微電子”，600360.SH）是我國功率半導體龍頭企業(yè)，也是一直踐行國產(chǎn)替代戰(zhàn)略的企業(yè)之一。華微電子主要生產(chǎn)功率半導體器件及IC，應用于消費電子、節(jié)能照明、計算機、PC、汽車電子、通訊保護與工業(yè)控制等領域。目前，其已形成IGBT、MOSFET、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等系列功率半導體產(chǎn)品。

記者了解到，目前華微電子已擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力為每年400余萬片，封裝資源為24億只/年，模塊1800萬塊/年。同時，今年6月，華微電子8英寸生產(chǎn)線將投入使用。

一位長期關注功率半導體產(chǎn)業(yè)的業(yè)內(nèi)資深人士對記者表示，華微電子在功率半導體行業(yè)內(nèi)深耕積淀多年,積極卡位行業(yè)領先產(chǎn)品種類, 自主掌握了IGBT薄片工藝、Trench工藝、壽命控制和終端設計等核心工業(yè)技術，達到同行業(yè)先進水平。未來，華微電子將成為功率半導體器件替代進口的有力競爭者。

華微電子在功率半導體產(chǎn)業(yè)中已經(jīng)浸淫五十余年，在中國功率半導體器件行業(yè)連續(xù)十年排名第一。作為行業(yè)的“排頭兵”，華微電子也在加碼對功率半導體器件第三次技術革命的代表性產(chǎn)品——IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，即絕緣柵雙極型晶體管產(chǎn)品線的布局。

記者了解到，華微電子是國內(nèi)率先量產(chǎn)IGBT功率半導體產(chǎn)品的企業(yè)之一，從2008年開始研制第一代IGBT芯片至今，其已研發(fā)出四代IGBT芯片，目前正在開發(fā)集成電流傳感和溫度傳感的第五代IGBT芯片。

作為一種新型電力電子器件，IGBT芯片是工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領域。

業(yè)內(nèi)普遍認為，隨著新能源汽車的發(fā)展以及變頻白色家電的普及，IGBT的應用優(yōu)勢將逐步凸顯，它不僅在工業(yè)應用中提高了設備的自動化水平、控制精度等，也大幅提高了電能的應用效率，同時減小了產(chǎn)品體積和重量，節(jié)約了材料，未來的應用空間十分廣闊。目前，IGBT 國產(chǎn)化已成為國家關鍵半導體器件的發(fā)展重點之一，IGBT 也被列為國家“02 專項”的重點扶持項目。未來，布局該半導體芯片業(yè)務的華微電子等企業(yè)將受益。

記者在采訪中了解到，目前華微電子的產(chǎn)品已經(jīng)向新能源汽車、變頻家電、工業(yè)和光伏新興領域快速拓展，并已取得良好效果。同時，其已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產(chǎn)品到第六代IGBT國內(nèi)最齊全、最具競爭力的功率半導體器件產(chǎn)品體系，正逐步由單一器件供應商向整體解決方案供應商轉變。